Пам'ять для ноутбуків Kingston 32 GB CSODIMM DDR5 6400 MHz (KVR64V52BS8-32)

Обсяг, ГБ — необхідний мінімальний обсяг оперативної пам'яті насамперед залежить від завдань, для яких збирається ПК. Для навчального або офісного комп'ютера мінімальним рівнем можна вважати 8 ГБ оперативної пам'яті, тоді як для ігрового ПК і просто комфортної роботи бажано мати на борту мінімум 16 ГБ. Для більш ресурсномістких програм для монтажу, рендеру, сучасних ігор необхідний комфортний обсяг пам'яті становить 32 ГБ і більше. Також варто врахувати максимальний обсяг пам'яті, з яким здатний працювати контролер пам'яті материнської плати

Штатні таймінги — набір параметрів, що позначають цикли, необхідні для підготовки до передачі даних, які знадобилися системі. У рамках одного стандарту пам'яті вплив затримок на підсумкову продуктивність ще менш істотний, ніж тактова частота, тому на них швидше варто звертати увагу як на другорядний параметр.

Робоча напруга, В — це номінальний рівень напруги, за якого модуль пам'яті функціонує стабільно й ефективно. Вона впливає на енергоспоживання, нагрівання і сумісність із материнською платою. Для DDR4 стандартна напруга становить 1.2 В, а для модулів із розгоном (XMP/DOCP) - до 1.35-1.4 В. Для DDR5 - базова напруга знижена до 1.1 В, але модулі з підвищеною продуктивністю можуть працювати на 1.25-1.4 В. Під час вибору модуля переконайтеся, що материнська плата і процесор підтримують зазначений рівень напруги, особливо для розгінних профілів.

Ранг пам'яті — це логічна група мікросхем на модулі оперативної пам'яті, які працюють синхронно і забезпечують передачу даних по 64-бітній шині. Один модуль може мати один (Single Rank), два (Dual Rank) або чотири (Quad Rank) ранги. Наявність декількох рангів може поліпшити продуктивність завдяки ефективнішому завантаженню контролера пам'яті.

Перевірка і корекція помилок (ECC) — код корекції помилок - запис, що приєднується до кожного переданого сигналу, що дозволяє визначити збій і ліквідувати помилку (в деяких випадках). Підтримка ECC характерна для серверних модулів пам'яті.